세계 메모리 솔루션 업계 선도기업인 도시바 메모리 코퍼레이션(Toshiba Memory Corporation)이 셀당 3비트를 저장하는 3중셀(TLC) 기술이 채용된 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)[3]기술을 적용하여 세계 최초의[1] BiCS FLASH™ 3차원(3D)플래시 메모리[2]를 개발했다고 12일 발표했다.

개발 목적을 위한 시제품은 지난 6월부터 출하되기 시작했으며 제품 샘플은 2017년 후반기에 공개될 예정이다. 이 획기적인 디바이스의 시제품은 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 8월7~10일에 열리는 2017플래시 메모리 서밋(2017 Flash Memory Summit)에서 공개될 예정이다.

TSV기술을 적용한 디바이스는 데이터를 고속으로 입출력하면서 전력 소모를 줄이는 구조로 수직 전극 및 바이어스가 실리콘 다이(die)를 통과하여 연결성을 제공한다. 실제로 사용하는 성능은 이전에 발표된 도시바의 2D 낸드(NAND) 플래시 메모리[4]를 통해 이미 입증됐다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 48레이어 3D플래시 공정과 TSV기술을 결합하여 제품의 프로그래밍 대역폭을 성공적으로 증대시키면서 전력 소비를 낮췄다. 단일 패키지의 전력 효율성[5]은 와이어 본딩 기술을 적용한 동일 세대 BiCS FLASH™ 메모리의 약 두 배[6]가 된다. 또 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™메모리는 단일 패키지에 16 다이를 적층한 구조로 용량이 1테라바이트(TB)에 이른다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™메모리를 상용화하여 기업용 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함한 저지연성, 고대역폭의 IOPS(초당 입출력 횟수)[7]/와트를 필요로 하는 스토리지 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공할 예정이다.