[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 차세대 인공지능(AI) 메모리인 HBM4의 주도권 경쟁이 본격화하고 있다. SK하이닉스가 세계 최초로 HBM4 개발을 마무리하고 양산 체제를 구축한 가운데, 삼성전자는 1c D램 기반 생산능력 확보에 집중하며 추격을 준비하는 모양새다. 

16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM4 양산 체제를 이천 공장에 구축하고 복수 고객사와의 인증 절차를 병행하고 있다.

SK하이닉스 관계자는 “이천 공장에 HBM4 양산 체제를 마련했다”며 “고객사 일정에 맞춰 인증 절차를 순조롭게 진행 중”이라고 밝혔다.

앞서 하이닉스는 지난 3월 HBM4 12단 샘플(36GB)을 업계 최초로 고객사에 조기 공급했다. 

특히 해당 시기는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘GTC 2025’에서 젠슨 황 엔비디아 CEO가 차세대 GPU ‘루빈(Rubin)’에 HBM4 탑재를 공식화한 발표와 맞물렸다. SK하이닉스는 당시 HBM4 12단 모형을 GTC에서 처음 선보이며 해당 제품의 고객사 샘플 공급을 알렸고, 이에 따라 업계에서는 샘플 공급과 엔비디아 발표가 사실상 연계된 것 아니냐는 해석이 제기됐다.

SK하이닉스가 1b(5세대) D램 설계를 토대로 HBM4 양산을 준비한 반면, 삼성전자는 1c D램 설계 기반으로 HBM4를 개발하고 있다. 한 세대 앞서 1c 공정을 HBM에 적용해 기술적 반전을 노리겠다는 의도로 풀이된다.

삼성전자는 지난 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 “HBM4 관련해 당사는 1c 나노 공정의 모(母)제품 양산 전환 승인을 완료했으며 이를 기반으로 HBM4 개발을 마무리하고 주요 고객사에 샘플을 출하했다”고 밝혔다. 

또한 “HBM3E 대비 성능과 전력 효율을 크게 개선했으며, 2026년 본격화할 HBM4 수요에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 계획”이라며 “차세대 적층 기술인 하이브리드 커퍼 본딩(HCB)과 관련해 주요 고객사와 양산을 고려한 기술 협의를 활발히 진행 중”이라고 말했다.

이에 업계에서는 삼성전자가 1c 전환과 함께 하이브리드 본딩을 조기 도입할 경우, 기존 TCB 공정 의존도가 높은 SK하이닉스를 추격하거나 역전할 가능성도 거론된다.

한편, SK하이닉스는 이미 HBM4 양산 준비를 마친 만큼, 앞으로는 고객사 인증 절차 완료 시점에 맞춰 출하를 본격화한다는 계획이다. 

삼성전자는 내년부터 본격적으로 HBM4 수요가 발생할 것에 대비해 생산능력 확대에 집중하고 있다. 1c D램 캐파를 꾸준히 늘려 안정적 공급 기반을 확보하고, 필요 시점에 맞춰 제품 양산과 출하를 본격화한다는 전략이다.