[녹색경제신문 = 문슬예 기자] SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(Fab) 건설에 착공하며 AI 반도체 시장 선점에 속도를 내고 있다. HBM을 포함한 D램 생산의 핵심 거점으로 활용한다는 방침이다. 한편, 삼성전자 역시 오는 2026년 용인 첨단시스템반도체 국가산업단지 착공을 추진해 대규모 반도체 클러스터를 완성한다는 계획이다. 

SK하이닉스가 지난 24일 경기도 용인시 처인구 원삼면에 용인 반도체 클러스터 내 첫 번째 반도체 생산라인 착공에 돌입했다고 밝혔다. 

SK하이닉스의 용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 부지에 팹, 소부장(소재·부품·장비) 협력화 단지, 인프라 시설로 구성된다. 이번에 착공한 1기 팹은 오는 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있으며, 이후 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 

SK하이닉스는 “용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점”이라며 “급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 것”이라고 말했다. 

삼성전자도 용인에 360조원 규모의 자금을 투입해 첨단 반도체 생산 시설을 구축할 예정이다. 삼성전자의 용인 반도체 클러스터는 경기 용인 처인구 남사읍 일대 728만㎡(약 220만 평) 부지에 팹 6기와 발전소 3기, 소부장 협력사 60곳 이상이 입주하는 대형 프로젝트다. 

지난해 말 승인을 받은 용인 첨단시스템반도체 국가산업단지는 용인시 이상일 시장이 적극적으로 규제를 완화해 산단 지정 절차를 4년에서 1년 9개월로 단축했다. 업계에 따르면 정부는 오는 2026년 산업단지 조성공사에 착공해 오는 2030년을 준공 목표로 삼고 있는 것으로 알려졌다. 

한편, SK하이닉스의 착공 또한 용인시의 행정 지원으로 시기가 앞당겨진 것으로 알려졌다. 

용인시는 지난 21일 1기 팹 건축 허가에 필요한 관계기관 협의가 완료되자마자 당일 건축을 허가했다고 밝혔다. 통상 관계기관 협의 완료 후에도 1주일 정도의 검토를 거치는데, 신속한 행정 지원으로 시기를 앞당겼다는 설명이다. 

용인시는 “조속한 인허가 진행을 위해 지난해 2월 ‘건축허가 TF(태스크포스)’를 구성해 관계기관과 체계적인 협의를 하는 등 적극적인 행정 지원으로 허가에 필요한 기간을 대폭 단축했다”며 “속도전이 생명인 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위해 시가 건축허가에 필요한 제반 준비를 미리 마쳤기 때문에 이같은 신속한 처리가 가능했다”고 말했다. 

이에 SK하이닉스도 공식적인 착공식 행사 없이 지난 24일 곧바로 공사를 시작한 것으로 알려졌다.